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氮化鎵電源方案
氮化鎵具有較寬的禁帶寬度(3.4eV),以藍(lán)寶石等材料為襯底,具有良好的散熱性能、高效率、體積小、重量輕,有利于器件在高功率條件下的工作。
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新能源解決方案
在相同的電壓和轉(zhuǎn)換頻率下,400V電壓時(shí),碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的29%-60%之間; 800V時(shí),碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的30%-50%之間
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IGBT解決方案
IGBT的作用是交流電和直流電的轉(zhuǎn)換,同時(shí)IGBT還承擔(dān)電壓的高低轉(zhuǎn)換功能,需要通過IGBT轉(zhuǎn)變成直流電,起到對交流電機(jī)的變頻控制
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讓我們談?wù)劇?/b>
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